株式会社日本シード研究所

真空応用装置の電気回路設計開発職

先端技術で時代をリードするカスタム真空機器のパイオニア「日本シード研究所」の求人募集です。

RECOMMEND サイト運営会社からひとこと

真空技術のパイオニアとして長い実績を刻んできました。その歩みは、まさに日本の真空技術産業の歴史そのものであったと言っても過言ではありません。真空技術は、精度の高い半導体・ICチップの開発には不可欠の技術であり、現在は宇宙工学関連製品、半導体デバイス、電子部品、薬剤生成、光学レンズなどのコーティング、インスタント食品の製造過程で利用されるなど、様々な用途で活用されています。技術者としてはそういった装置開発に一から十まで携わることが出来、非常にやりがいのある環境と言えます。

仕事の内容 ・真空応用装置の電気回路設計
・ラダーシーケンサによる真空装置、制御回路設計
・制御盤、コントロールパネルの計装設計

《製品具体例》
 蒸着装置、スパッタ装置、排気装置 等々
雇用形態 正社員
勤務地 本社(神奈川県綾瀬市)
最寄駅:小田急線/相鉄線「海老名駅」からバス
※車通勤可
勤務時間 8:45~17:20(実働7時間30分)
給与 月給20万円~33万円
※年齢、スキル、経験を考慮して決定します。
待遇・福利厚生 ・昇給年1回
・賞与年2回(月給の5ヶ月分を目標とし、会社業績・個人実績により変動)
・各種社会保険完備
・役職手当
・能力手当
・住宅手当
・調整手当
・家族手当
・通勤手当
休日・休暇 週休二日制(土日)、祝日
年末年始、GW連休、夏季休暇、有給休暇あり
その他会社カレンダーによる
※年間休日125日
募集の背景 組織強化のため
求める能力・知識・経験
(必須要件&歓迎要件)
・真空装置、搬送装置、その他自動機などのハードウェア設計、シーケンス設計経験者。
・各種電源の開発経験者。
・応用物理科、電気・電子工学科専攻が望ましい。
選考プロセス 書類選考
(採用担当窓口の日本アルテック㈱からご連絡いたします)
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面接(1~2回)
 ▼
内定

技術や製品

  • イオンプレーティング(IPW-101)
    IPE-101は、約0.3φの高融点金属ワイヤーの表面に金属の酸化物、炭化物をコーティングするためのイオンプレーティング装置です。蒸着源には、電子ビーム蒸発源を使用し、活性ガス中でも安定した動作が可能です。また、試料搬送部は、イオンプレーティング時の高温な電離状態に十分耐えられる構造になっています。既定のイオンプレーティング形態は、高周波イオンプレーティング方式に設定されていますが、カスタマイズすることにより、ARE方式・マトリックス方式などに変更が可能な設計になっています。

  • 蒸着装置(ESE-06)
    ESE-06は、抵抗加熱式の蒸着装置です。本装置の真空排気部は、ターボ分子ポンプと油回転ポンプの組み合わせにより、1X10e-4 Paまでの排気が15分以内で可能な性能を備えています。また、蒸発源に、抵抗加熱方式を採用。スイッチの切り替えにより、3種類の物質の蒸着が可能になりました。さらに、蒸着電極に独立2点式を使用しているため、同時2種蒸着が行える仕様になっています。

  • 金単結晶蒸着装置(ESE-11)
    ESE-11は、高真空領域で基板上に金属(Au)を堆積させるための高真空蒸着装置です。蒸着は、4インチホルダーに固定された基板に、タングステンバケット上のAuを加熱蒸着することによって行われます。また、基板を高温に保ちながら、膜厚を水晶振動式膜厚計で制御することにより、極めて均一な蒸着を可能にしました。排気には、磁気浮上広帯域ターボ分子ポンプ、および、油回転ポンプを使用することによって1X10e-6 Pa以下の高真空を実現しました。

  • 真空蒸着装置Ⅲ(ESE-010)
    ESE-010は、高真空領域で蒸発源(分子線セル)を作動させ、有機物薄膜を作製する高真空蒸着装置です。本装置は、成膜のための成長室、高真空を得るための真空排気部、および、制御部により構成されています。成長室では、2台の分子線セルを用い、2元同時蒸着・繰り返し蒸着を行うことによって、合成、および、多層有機膜の蒸着を可能としました。また、蒸着源周辺にシュラウドを配置し、温度を一定に保つことによって、より精緻な蒸着をおこなうことが可能になりました。これに加え、蒸着中に、基板を等速で回転し、基板ホルダー温度を-20~-25℃間に制御することにより、再現性の高い薄膜形成を実現しました。

  • 超高真空化学蒸着装置(SUC-001)
    SUC-001は、超高真空部品から構成された3室構造のプラズマCVD装置です。本装置は、圧力の低い超高真空領域(1X10e-8Pa台)で十分に脱ガス処理した後、プラズマCVD方式により薄膜生成を行います。各室の排気部には、ソープションポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプを装備。試料搬送部は、超高真空に対応した設計がなされており、ドライ、かつ、清浄な作業環境を提供します。

  • 超高真空蒸着装置Ⅰ(SEU-03)
    SEU-03は、UHV領域下で、新しい物性や機能を持つ薄膜材料の作製を目的とした蒸着装置です。本装置は、蒸発源・蒸着室・基板ホルダー室の3室から構成されています。蒸発源室と蒸着室の結合部には、アルフォイルフランジを使用し、蒸着室と基板ホルダー室の結合部には、コンフラットフランジを使用。蒸着室には、2台の電子銃を装備し、電子銃直上に水分圧を低く抑えるためのLN用シュラウドを設置しました。これにより、交互蒸着、および、同時蒸着を可能にしました。また、蒸発室には、分子ポンプ・チタンゲッタポンプ・蒸着室監視窓・分圧測定ゲージを装備しました。さらに、蒸着室に基板ホルダー温度制御システムを搭載し、水晶膜厚計によって速度・膜厚の制御を行うことにより、精度の高い積層膜作製を実現しました。

  • RFスパッタリング薄膜作製装置
    (SPF-341)

    SPF-341は、放射光を使用する実験・研究等に用いられる高温超伝導薄膜、強誘電体薄膜、ならびに、多元系化合物を用いた絶縁膜を作成するための対向電極方式4元スパッタ装置です。本装置は、成膜室とロードロック室から構成されており、超高真空領域での作業に対応にした設計になっています。また、成膜時のシャッターコントロールはプログラム制御により行われ、成膜後の解析はR-HEEDシステムによって行われます。

  • CVD系排気トラップ(TVP-003)
    TVP-003は、CVD系の作業中に発生する粉末蓄積によるポンプの不具合を解消するために開発された排気トラップです。本装置を、ポンプの前段に設置することにより、ポンプが本来もつ性能を長期間にわたり維持することが可能になります。

  • 耐高電圧リミッター装置(ELM-01)
    ELM-01は、放電管内のプラズマ周辺電位を制御することを目的とした装置です。リミッター電極をプラズマの両側に配置し、これに高電圧大電流を流すことによって、プラズマ周辺電位を制御することが可能となりました。また、電極は、様々な電極材料に交換可能となっており、プラズマ放電管内で、直線移動・開閉が可能な仕様になっています。

基本情報

会社名 株式会社日本シード研究所
URL http://www.seed-lab.com/
本社住所 〒252-1125
神奈川県綾瀬市吉岡東 2-3-27
事業拠点 本社
事業内容 真空機器、真空応用装置の開発、設計、製作  真空装置のメンテナンスサービス
資本金 1,000万円
売上高
設立年月日 1981年(昭和56年)6月12日
代表者 木下 時重
従業員数 23名

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